KOMPAS.com - Samsung Electronics telah memperkenalkan teknologi memori flash triple-level-cell (TLC) 3D V-NAND sejak beberapa lama. Namun, raksasa Korea ini berencana mengombinasikannya dengan teknologi 3D V-NAND 3-Bit untuk membuat SSD yang lebih terjangkau.

Sebelumnya, di ajang IFA 2014 Berlin lalu, Samsung telah memamerkan prototipe SSD berbasis memori flash NAND (SSD 850 EVO) yang diklaim dibuat dengan ongkos produksi murah dengan performa dan ketahanan yang lebih lama.

Kini, dikutip KompasTekno dari situs Business Wire (8/10/2014), Samsung dikabarkan telah mulai memproduksi memori flash 3D V-NAND Multi Level Cell (MLC) 3-bit.

"Dengan tambahan lini SSD baru dengan densitas tinggi yang murah dan kencang, kami yakin 3-bit V-NAND akan bisa mempercepat transisi penyimpanan data dari hard disk ke SSD," demikian terang Jaesoo Han, Senior Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics.

V-NAND 3-bit ini menjadi generasi SSD V-NAND kedua Samsung yang menggunakan 32 lapisan cell yang ditumpuk secara vertikal per chip dalam memori NAND. Masing-masing chip akan menyediakan kapasitas penyimpanan 128 gigabit.

Dalam struktur chip V-NAND buatan Samsung, setiap cell terhubung secara elektrik dengan lapisan non-konduktif melalui teknologi Charge Trap Flash (CTF). Setiap rak cell disusun secara vertikal menumpuk satu sama lain membentuk apa yang disebut dengan multibillion-cell chip oleh Samsung.

Dengan menggunakan teknologi 3-bit per cell, serta susunan cell yang ditumpuk-tumpuk sebanyak 32 lapisan itu, maka Samsung mengklaim bisa meningkatkan efisiensi jumlah memori yang dihasilkan.

Jika dibandingkan dengan memori flash 3-bit planar NAND dengan teknologi 10 nanometer, maka memori V-NAND 3-bit  ini memiliki produktivitas yang meningkat dua kali lipat.

Samsung berharap dengan SSD baru generasi keduanya itu, makin banyak konsumen yang menggunakan memori penyimpanan SSD, baik dari kalangan pengguna PC rumahan hingga server-server perusahaan besar.

Sumber Berita